【研究背景】

鈣鈦礦太陽能電池是一種具有高效率、穩(wěn)定性和可擴展性的太陽能電池。然而，由于A位陽離子的分離，導致了組成不均勻的問題，可能對電池的光電性能產生不利影響。在過去的研究中，研究人員嘗試使用Cs陽離子來改善鈣鈦礦太陽能電池的性能，但是Cs陽離子的分離問題引發(fā)了人們對電池穩(wěn)定性的擔憂。

【關鍵問題】

Cs陽離子在過氧化物薄膜中分離會存在以下幾個問題：

1.分布不均勻：Cs陽離子傾向于在包晶體薄膜底部聚集和分離，導致陽離子在整個薄膜中分布不均。

2.成分不均勻性：Cs陽離子的分離會導致包晶體薄膜內從貧銫到富銫的梯度相分布，從而影響太陽能電池的整體成分和性能。

3.晶格失配：Cs和其他陽離子（如甲脒）之間的尺寸差異會造成晶格失配，導致平面外晶格畸變，進一步加劇了包晶體薄膜的不均勻性。

4.穩(wěn)定性問題：Cs陽離子的分離可能會加速含銫包晶石的長期降解并降低其穩(wěn)定性，這對包晶石太陽能電池的長期性能和耐用性是一個重大問題。

總之，Cs陽離子在包晶體薄膜中的分離會導致成分不均勻、晶格畸變和穩(wěn)定性問題，從而對包晶體太陽能電池的性能和可靠性產生負面影響。

【新思路】

近日，中國科學院合肥物質科學院固體物理研究所、中國科學院光伏與節(jié)能材料重點實驗室潘旭研究員、葉加久博士，韓國成均館大學Nam-Gyu Park，華北電力大學戴松元教授等人研究了鈣鈦礦薄膜沿垂直方向的面外成分不均勻性，并確定了根本原因和對器件的潛在影響。他們使用 1-(苯基磺酰基)吡咯 (PSP) 來均勻化鈣鈦礦薄膜中的陽離子成分，由此產生的p-i-n器件獲得了25.2%穩(wěn)態(tài)PCE和持久穩(wěn)定性。           ****

【技術優(yōu)勢】

通過調整面外陽離子來實現(xiàn)太陽能電池鈣鈦礦成分的均質化，通過控制鈣鈦礦結構中陽離子的排列，可以提高鈣鈦礦太陽能電池的性能和穩(wěn)定性。這種方法可以有效減少鈣鈦礦材料中的相分離現(xiàn)象，并提高光電轉換效率。此外，該研究還通過實驗驗證了這種方法的可行性，并提出了加速商業(yè)化的前景。

【研究內容】

▌面外陽離子不均勻性

經(jīng)研究鈣鈦礦薄膜中甲脒和Cs陽離子之間存在空間垂直相偏析，薄膜內陽離子的分布顯著影響鈣鈦礦太陽能電池的性能，并且作者還可視化了由陽離子不均勻性引起的相分布和結構變化。據(jù)觀察，Cs陽離子傾向于積聚在鈣鈦礦薄膜的底部，從而形成富Cs相，這種陽離子不均勻性會導致薄膜內的晶格應變和失配。作者通過使用一種名為 1-(苯磺酰基)吡咯 (PSP) 的添加劑來抑制陽離子偏析并改善晶格排列，經(jīng)過 PSP 處理的薄膜表現(xiàn)出更好的面外晶格排列并降低了晶格應力。因此，陽離子不均勻性的起源可能與晶體結構的變化有關。總的來說，解決鈣鈦礦薄膜中面外陽離子的不均勻性對于提高器件性能的具有很大的作用。

本研究采用Enlitech SS-F5-3A產品進行量測。

陽離子不均勻性的起源

這部分作者主要討論的是鈣鈦礦薄膜中陽離子不均勻性的起源。作者通過引入PSP的有機分子解決了鈣鈦礦內陽離子不均勻性的問題，特別是對于含 FA-Cs 的鈣鈦礦。PSP 的添加導致鈣鈦礦薄膜內的陽離子分布均勻。作者通過觀察ToF-SIMS和深度相關 X 射線光電子能譜 (XPS) 的結果，發(fā)現(xiàn)這這些結果提供了鈣鈦礦薄膜內面外陽離子不均勻性的證據(jù)，PSP分子在薄膜底部的積累。總的來說， PSP 的加入有助于減輕鈣鈦礦薄膜中的陽離子不均勻性。

圖2 揭示 FA-Cs 相分離的起源

▌光電特性

作者進行了各種實驗來評估 PSP 處理對鈣鈦礦薄膜性能的影響。他們首先分析了經(jīng)過和未經(jīng) PSP 處理的鈣鈦礦薄膜的PL光譜。結果表明，與未處理的薄膜相比，經(jīng)過 PSP 處理的薄膜表現(xiàn)出更強的PL強度。TR-PL 測量表明，PSP 處理導致鈣鈦礦薄膜中載流子壽命更長，這說明載流子復合動力學得到改善。

為了進一步了解 PSP 處理對鈣鈦礦薄膜的影響，作者進行了DFT計算，計算表明，PSP 處理降低了鈣鈦礦薄膜中各種類型缺陷的形成能，薄膜質量得到改善。此外，作者還研究了鈣鈦礦薄膜內的能帶排列，他們從深度剖面紫外光電子能譜中提取了導帶最小值（CBM）、價帶最大值（VBM）和費米能級（EF）的值。分析表明，PSP 處理產生了更有利的能帶排列，這可以增強鈣鈦礦薄膜中的電荷傳輸和提取。

總體而言，光電表征表明，PSP 處理改善了鈣鈦礦薄膜的光學和電子性能，從而提高了鈣鈦礦太陽能電池的性能。

圖3 光電特性

▌設備性能

與器件性能相關的內容討論了鈣鈦礦太陽能電池的制造和評估。這些器件采用不同的配置制造，例如 p-i-n 和 n-i-p。制造過程涉及各個層的沉積，包括 C60、BCP、Ag、SnO2 和空穴傳輸材料 (HTM)。這些器件在功率轉換效率 (PCE)、外部 LED 量子效率 (EQEEL) 和可靠性方面的性能進行了評估。

結果表明，與參考器件相比，用 1-(苯磺酰基)吡咯 (PSP) 作為添加劑處理的器件表現(xiàn)出更好的性能。器件的 PCE 為 26.1%（經(jīng)認證的反向 PCE 為 25.8%，經(jīng)認證的穩(wěn)態(tài) PCE 為 25.2%）。該器件還表現(xiàn)出增強的 FF 和改進的載流子提取。經(jīng)過 2,500 小時的連續(xù)跟蹤后，未封裝的 PSP 處理器件保留了 92% 的初始 PCE，而參考器件在相同條件下下降至 80% 左右。濕熱可靠性測試也證明了經(jīng)過 PSP 處理的器件的性能。

總體而言，該內容強調了器件制造技術以及使用 PSP 等添加劑在提高鈣鈦礦太陽能電池性能和可靠性方面的重要性。

圖4 設備性能穩(wěn)定

【總結展望】

總的來說，中國科學院合肥物質科學院固體物理研究所、中國科學院光伏與節(jié)能材料重點實驗室潘旭研究員、葉加久博士、韓國成均館大學Nam-Gyu Park、華北電力大學戴松元教授等人可視化了鈣鈦礦薄膜沿垂直方向的空間不均勻相分布，并提出器件性能受到面外成分不均勻性的限制。此外，還發(fā)現(xiàn) A 位組分之間的不平衡結晶和相變過程對 FA-Cs 相分離有顯著影響。作者通過采用 1(苯磺酰基)吡咯 (PSP) 作為添加劑來延緩 FAC 鈣鈦礦的陽離子偏析行為。經(jīng)過 PSP 處理的 p-i-n 結構器件產生了 26.1% 的 PCE（經(jīng)認證的反向 PCE 為 25.8%，經(jīng)認證的穩(wěn)態(tài) PCE 為 25.2%）。